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张雷，长聘研究员, 博士生导师，山东省泰山学者青年专家。2016-2018年期间在德国亥姆霍兹于利希研究中心从事访问学者研究。 主要从事氮化物（氮化镓、氮化铝）宽禁带半导体晶体材料的生长及性能研究工作。目前担任氮化物半导体晶体研究方向负责人（PI）。研制了具有自主知识产权的氢化物气相外延（HVPE）GaN单晶生长装备和物理气相沉积法（PVT）AlN单晶生长装备，系统研究了GaN、AlN晶体的生长机理，围绕应力及开裂、衬底分离难题，提出了二维位错阻断层、多孔衬底技术等解决方案，... More+
Research Projects
[1] GFJG-GaN单晶衬底与外延材料KM20250114,2024-12-01,2027-12-01
[2] 大功率宽频可调谐GaN线性光导型微波器件研究,2025-01-01,2029-12-31
[3] 大尺寸GaN单晶衬底的生长与加工技术研发,2024-11-01,2032-12-31
[4] （包干项目）4 英寸高质量氮化镓晶体生长研究,2025-01-01,2027-12-31
[5] 4英寸低位错密度半绝缘GaN单晶生长研究,2024-08-23,2028-12-31
[6] GFJG-***单晶衬底与外延材料KM20240048,2023-06-07,2024-06-30
[7] 基于氨热法GaN单晶衬底的表征技术研发,2024-01-01,2025-01-31
[8] Y-电阻法生长高质量、高紫外透过率AlN单晶研究,2022-06-28,2023-12-31
[9] 电阻法生长高质 量、高紫外透过率AlN单晶研究,2023-10-31,在研
[10] 镓系宽禁半导体制备技术研究,2025-01-31,在研